德國Novocontrol　Novocontrol GmbH寬頻介電和阻抗譜儀

型號：Novocontrol GmbH寬頻介電和阻抗譜儀

品牌：德國Novocontrol

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德國Novocontrol

Novocontrol GmbH 是德國一家專業(yè)的電介質(zhì)頻率譜、阻抗譜、溫度譜等電介質(zhì)材料物理量測量儀器的生產(chǎn)廠家，創(chuàng)立于 1980 年，其與馬克斯普朗克科學促進學會（InternationalMax Planck Research School)聚合物研究...[查看更多]

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德國Novocontrol Novocontrol GmbH寬頻介電和阻抗譜儀，NOVOCONTROL介電阻抗譜儀具有很寬的頻率范圍（3μHz~3GHz），很高的分辨率（分辨率可達10-5），能靈敏地測量比較低電導率和比較低損耗的材料。

NOVOCONTROL介電阻抗譜儀具有很寬的頻率范圍（3μHz~3GHz），很高的分辨率（分辨率可達10-5），能靈敏地測量比較低電導率和比較低損耗的材料。并且測量的樣品材料，不但包含各種固體、薄膜，甚至可以測量液體和粉末等材料的介電特性。全自動的軟件控制，以及多種溫度控制模式的設(shè)計，使得Novocontrol介電阻抗譜儀成為科研單位以及企業(yè)*佳的介電分析工具。目前，NOVOCONTROL已擁有200多家國際*企業(yè)和研究所為其用戶。

Novocontrol GmbH寬頻介電和阻抗譜儀特點：

■ 極寬的頻率測量范圍：3μHz ~ 3GHz

■ 極寬的阻抗范圍：10mΩ ~ 100TΩ
■ 測量精度高，損耗因數(shù)（tan(δ)）可達到 3×10-5
■ 多種溫控系統(tǒng)供選擇，控溫精度可達 ± 0.01℃，
溫度范圍：*低可達 - 160℃，*高可達 1600℃
■ 功能強大的全自動在線控制測量軟件，可測 30 多種參數(shù)，并可
在線顯示為 2D/3D 曲線
■ 可測量多種類型樣品：固體、薄膜、液體、粉末等
■ 多種特殊功能模塊可供選擇。如：熱激勵去極化電流（TSDC）
測量模塊、HVB 高壓發(fā)生器（電壓*高可達 ± 2000VAC/VDC）、
電化學測量模塊等

常用系統(tǒng)：
	頻率/Hz
溫度/℃
	3μ~300K	3μ~3M	3μ~20M	3μ~40M	1M～3G	3μ~3G
常溫	BDS 10	BDS 20	BDS40	BDS50	BDS70	BDS80
-160～+400	Concept 10	Concept 20	Concept 40	Concept 50	Concept 70	Concept 80
-100～+250	Concept 11	Concept 21	Concept 41	Concept 51	Concept 71	Concept 81
室溫～+400	Concept 12	Concept 22	Concept 42	Concept 52	Concept 72	Concept 82

高溫測量系統(tǒng)：
溫度/℃	頻率/Hz
溫度/℃	3μ~1M
室溫～1200	Concept 43
室溫～1400	Concept 44
室溫～1600	Concept 45

Novocontrol GmbH

Novocontrol GmbH測試實例

測量圖例 3：難溶藥物 SSR 的無定形（a）和晶體（b）的損耗角正切 tan(δ)隨溫度和頻率的變化。樣品電容分別為 1pF（晶體）和 3pF（無定形）。數(shù)據(jù)來源： Sanofi-Synthelabo Research, AnalyticalScience Department, France

Novocontrol GmbH可測量參數(shù)：
/	Permitivity' repermittivity (dielectric measurement only)	介電常數(shù)實部
ε"	Permitivity"impermittivity(dielectric measurement only)	介電常數(shù)虛部
le\|l	Permitivity I absolute value permittivity(dielectric measurement only)	*
σ'	Conductivity'respecific conductivity (dielectric measurement only)	電導率實部
σ"	Conductivity " imspecific conductivity(dielectric measurement only)	電導率虛部
lo\|	l Conductivity I absolute value conductivity (dielectric measurement only)	*
p	Specific Resistance =(dielectric measurement only)	電阻率
tan(δ)	(=D)Tan(Delta)loss factor (quality factor)	損耗因數(shù)
δ	Delta loss angle	損耗角
tan(φ)	(=Q)Tan(Phu)phase factor (quality factor)	品質(zhì)因數(shù)
φ	Phi phase angle	相角
Cp'	Capacity Cp'reparallel capacity	并聯(lián)電容實部
Cp"	Capacity Cp"imparallel capacity	并聯(lián)電容虛部
Cs'	Capacity Cs'reserial capacity	串聯(lián)電容實部
Cs "	Capacity Cs"imserial capacity	串聯(lián)電容實部
\|C \|	l Capacity C\|absolute value parallel capacity	并聯(lián)電容*
Zp'	Impedance Zp'reparallel impedance	并聯(lián)阻抗實部
Zp"	Impedance Zp"imparallel impedance	并聯(lián)阻抗虛部
Zs'	Impedance Zp'reserial impedance	串聯(lián)阻抗實部
Zs"	Impedance Zs"imserial impedance	串聯(lián)阻抗虛部
\|Z I	l Impedance Z I absolute value serial impedance	并聯(lián)電容*
Yp'	(=G)Admittance Yp'reparallel admitance(conductance)	并聯(lián)導納實部
Yp"	(=G)Admitance Yp"imparallel admittance(susceptance)	并聯(lián)導納實部
Ys'	Admittance Ys'reserial admittance	串聯(lián)導納實部
Ys"	Admittance Ys"imserial admittance	串聯(lián)導納實部
\|Y I	\|Adimitance Y I absolute value parallel admittance	并聯(lián)導納*
Lp'	Inductivity Lp' reparallel Inductivity	并聯(lián)電感實部
Lp"	Inductivity Lp"Imparallel Inductivity	并聯(lián)電感虛部
Ls'	Inductivity Ls' reserial Inductivity	串聯(lián)電感實部
Ls "	Inductivity Ls" imserial Inductivity	串聯(lián)電感虛部
\|L l	l Inductivity L I absolute value serial Inductivity	串聯(lián)電感*